IXYH55N120A4, IGBTs TO247 1200V 55A XPT

IXYH55N120A4, IGBTs TO247 1200V 55A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 000 ֏
от 10 шт.9 800 ֏
от 30 шт.8 100 ֏
от 60 шт.7 800 ֏
1 шт. на сумму 11 000 ֏
Номенклатурный номер: 8005250366
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT GEN 4 1200V TO247

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 650 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение XPT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 175 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 350 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия Trench - 650V - 1200V GenX46
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IXYH55N120A4
pdf, 1129 КБ