IXYH55N120A4, IGBTs TO247 1200V 55A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 000 ֏
от 10 шт. —
9 800 ֏
от 30 шт. —
8 100 ֏
от 60 шт. —
7 800 ֏
1 шт.
на сумму 11 000 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT GEN 4 1200V TO247
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 650 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | XPT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 175 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 350 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | Trench - 650V - 1200V GenX46 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IXYH55N120A4
pdf, 1129 КБ