IXYN30N170CV1, IGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 400 ֏
от 10 шт. —
35 100 ֏
от 20 шт. —
30 700 ֏
от 50 шт. —
29 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 680 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 88 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | Module |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 88A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 275A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 140nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Power - Max | 680W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 160ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | XPTв„ў -> |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Switching Energy | 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 28ns/150ns |
| Test Condition | 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Emitter |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 270 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 680 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | SOT-227B |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 202 КБ
Datasheet IXYN30N170CV1
pdf, 209 КБ
Datasheet IXYN30N170CV1
pdf, 206 КБ
