IXYP8N90C3, IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 650 ֏
от 10 шт. —
2 890 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 650 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 900 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXYP8N90 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXYP8N90C3
pdf, 187 КБ
