IXYX50N170C, IGBTs PLUS247 1700V 50A XPT

Фото 1/2 IXYX50N170C, IGBTs PLUS247 1700V 50A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 27 500 ֏
Номенклатурный номер: 8005250383
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, XPT™, 1,7кВ, 50А, 1,5кВт, PLUS247™ Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Brand: IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.7 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 178 A
Continuous Collector Current Ic Max: 50 A
Factory Pack Quantity: 30
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 1.5 kW
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Collector Current (Ic) 178A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) 1.7kV
Diode Reverse Recovery Time (Trr) 44ns
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) -
Input Capacitance (Cies@Vce) -
Operating Temperature -55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 1.5kW
Pulsed Collector Current (Icm) 460A
Turn?off Switching Loss (Eoff) 5.6mJ
Turn?on Switching Loss (Eon) 8.7mJ
Type -
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 261 КБ
Datasheet IXYX50N170C
pdf, 235 КБ