RFN10T2D, Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V Vrm 10A Io Recovery Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
225 шт., срок 5-8 недель
1 250 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
от 100 шт. —
720 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 250 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Diodes - General Purpose, Power, Switching
Диодная матрица 1 пара с общим катодом, стандарт 200 В, 5 А, сквозное отверстие, TO-220-3, полная упаковка
Технические параметры
| Base Product Number | RFN10 -> |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10ВµA @ 200V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 150В°C (Max) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 5A |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RFN10T2D
pdf, 552 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
