Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGT50NS65DGC9, IGBTs ROHM's IGBT products ...

RGT50NS65DGC9, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current

Фото 1/2 RGT50NS65DGC9, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

916 шт., срок 6-9 недель

4 800 ֏

от 10 шт. — 3 650 ֏

от 50 шт. — 3 380 ֏

от 100 шт. — 2 720 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 800 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005265143

Бренд: Rohm

Описание

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	194 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGT50NS65D(TO-262)
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	48 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-262-3
Base Product Number	RGT50 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	48A
Current - Collector Pulsed (Icm)	75A
ECCN	EAR99
Gate Charge	49nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
Power - Max	194W
Reverse Recovery Time (trr)	58ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-262
Td (on/off) @ 25В°C	27ns/88ns
Test Condition	400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	48А
Power Dissipation	194Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-262
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1