RGTVX6TS65GC11, IGBTs 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

493 шт., срок 6-9 недель

6 100 ֏

от 25 шт. — 4 360 ֏

от 100 шт. — 3 750 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 100 ֏

Номенклатурный номер: 8005265169

Бренд: Rohm

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Pd - рассеивание мощности	404 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGTVX6TS65
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	144 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	144 A
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Вес, г	1