RGW60TS65GC11, IGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

542 шт., срок 6-9 недель

4 360 ֏

от 25 шт. — 3 120 ֏

от 100 шт. — 2 480 ֏

от 450 шт. — 2 250 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 360 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005265175

Бренд: Rohm

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Pd - рассеивание мощности	178 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	60 A
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	60А
Power Dissipation	178Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247N
Вес, г	1