UMD25NTR, Digital Transistors UMD25N is a digital transistor contains a DTA123J chip and a DTC123J chip in a UMT package, therefore the moun
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3270 шт., срок 7-9 недель
530 ֏
от 10 шт. —
357 ֏
от 100 шт. —
154 ֏
от 1000 шт. —
111 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходное напряжение | 100 mV, -100 mV |
| Другие названия товара № | UMD25N |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA, 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 21 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Base Product Number | UMD25 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | UMT6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Dual |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 21 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
