1SS302A,LF, Diodes - General Purpose, Power, Switching High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
883112 шт., срок 6-9 недель
267 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 267 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Diodes - General Purpose, Power, Switching
1SS302x Switching DiodesToshiba 1SS302x Switching Diodes are ultra-high-speed switching diodes with fast reverse recovery time t rr < 1.6ns (typical). These diodes are surface-mount devices with a 0.95mm max height. Toshiba 1SS302x diode is AEC-Q101 qualified, provides 80V maximum peak reverse voltage, 300mA peak forward current, and -55°C to +150°C storage temperature.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| If - Forward Current: | 100 mA |
| Ir - Reverse Current: | 500 nA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Max Surge Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Peak Reverse Voltage: | 85 V |
| Product Category: | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
| Product Type: | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
| Product: | Switching Diodes |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Recovery Time: | 1.6 ns |
| Series: | 1SS302 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Type: | Switching Diode |
| Vf - Forward Voltage: | 900 mV |
| Vr - Reverse Voltage: | 80 V |
| Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 102 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
