2SC3265-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9438 шт., срок 7-9 недель

580 ֏

1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8005268110

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	320
Максимальный постоянный ток коллектора	800 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	800 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	120 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SC3265
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TO-236MOD-3
Вес, г	0.012