2SJ305TE85LF, MOSFETs P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1887 шт., срок 7-9 недель
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-346-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 0.15 us |
| Typical Turn-On Delay Time: | 0.06 us |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet 2SJ305TE85LF
pdf, 318 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
