GT50N322A, IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
144 шт., срок 7-9 недель
5 900 ֏
1 шт.
на сумму 5 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 120 A |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 500 nA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, 25 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-3PN-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 161 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
