HN1B04FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7772 шт., срок 7-9 недель

308 ֏

1 шт. на сумму 308 ֏

Номенклатурный номер: 8005268423

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V, - 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	150 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz, 120 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN1B04FU
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	SOT-363-6
Вес, г	0.0068