HN1C01FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3994 шт., срок 7-9 недель

410 ֏

1 шт. на сумму 410 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005268427

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400 at 2 mA
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN1C01
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-363-6
Вес, г	0.0075