MT3S113(TE85L,F), RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW
![MT3S113(TE85L,F), RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW](https://static.chipdip.ru/lib/686/DOC043686001.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2695 шт., срок 7-9 недель
930 ֏
1 шт.
на сумму 930 ֏
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF Bipolar Transistors
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 5.3 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 200 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 600 mV |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 12.5 GHz |
Package/Case: | TO-236-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | SiGe |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 237 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг