MT3S113TU,LF, RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2511 шт., срок 7-9 недель
840 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF Bipolar Transistors
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 5.3 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 200 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 11.2 GHz |
| Package/Case: | UFM-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | SiGe |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Transistor Type: | Bipolar |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 211 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
