RN1104MFV,L3F, Digital Transistors 150mW TRANSISTOR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

33008 шт., срок 5-8 недель

169 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 169 ֏

Номенклатурный номер: 8005268467

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150mW TRANSISTOR

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	RN1104MFV
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	47 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.8
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-723-3
Вес, г	0.0015