RN1417,LF, Digital Transistors NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 шт., срок 7-9 недель
207 ֏
1 шт.
на сумму 207 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT)Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Toshiba предлагают широкий диапазон вариантов полярности. Транзисторы резистора смещения доступны с полярностью NPN, PNP, NPN PNP, PNP NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы резистора смещения предлагают 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с вариантами одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутренних соединений. .
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 15 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-59-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 200 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
