RN1711,LF, Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7799 шт., срок 7-9 недель
357 ֏
1 шт.
на сумму 357 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Dual |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| DC Current Gain hFE Max: | 700 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | USV-5 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 281 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
