RN1907FE,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20000 шт., срок 5-8 недель

347 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 347 ֏

Номенклатурный номер: 8005268528

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	RN1907
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.213
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-563
Вес, г	0.003