RN2106,LF(CT, Digital Transistors PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
![RN2106,LF(CT, Digital Transistors PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516164.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
534 шт., срок 5-8 недель
245 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 245 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RN2106 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SSM-3 |
Base Product Number | 2SC2655 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 200MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Power - Max | 100mW |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
RoHS Status | RoHS non-compliant |
Supplier Device Package | SSM |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 0.0024 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 890 КБ
Datasheet RN2106.LF(CT
pdf, 687 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг