RN2130MFV,L3F, Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
![RN2130MFV,L3F, Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor](https://static.chipdip.ru/lib/642/DOC006642957.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7140 шт., срок 5-8 недель
245 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 245 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | RN2130 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Вес, г | 0.0015 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг