SSM3K62TU,LF, MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4710 шт., срок 7-9 недель
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=.8A VDSS=20V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Qg - заряд затвора | 2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 43 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 2653 ns |
| Типичное время задержки при включении | 332 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UFM-3 |
| Base Product Number | RN1104 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 800mA, 4.5V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | U-MOSVII-H -> |
| Supplier Device Package | UFM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Вес, г | 0.0066 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K62TU.LF
pdf, 376 КБ
Документация
pdf, 336 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
