SSM5H16TU,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch + SBD VDSS=30V, VR=30V,I(SBD)= 0.8A,VGSS=+/-12V, ID=1.9A,RDS(ON) =0.103Ohma.4V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3141 шт., срок 7-9 недель
580 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор N-ch + SBD VDSS=30V, VR=30V,I(SBD)=0.8A,VGSS=+/-12V,ID=1.9A,RDS(ON)=0.103Ohm@4V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Qg - заряд затвора | 1.9 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 133 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 6.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.2 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UFV-5 |
| Base Product Number | RN2703 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 4V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 123pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 1A, 4V |
| RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Series | U-MOSIII -> |
| Supplier Device Package | UFV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Вес, г | 0.007 |
Техническая документация
Datasheet SSM5H16TU,LF
pdf, 193 КБ
Datasheet SSM5H16TU.LF
pdf, 188 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
