SSM6J213FE(TE85L,F, MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3750 шт., срок 5-8 недель

489 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 489 ֏

Номенклатурный номер: 8005268659

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

Id - непрерывный ток утечки	2.6 A
Pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
Qg - заряд затвора	4.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.55 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	SSM6J213
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	ES6-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	0.036