SSM6J414TU,LF, MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF

SSM6J414TU,LF, MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3485 шт., срок 7-9 недель
580 ֏
1 шт. на сумму 580 ֏
Номенклатурный номер: 8005268665
Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified
МОП-транзисторы U-MOSVI с малым сигналом

МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI с малым сигналом предлагают различные напряжения управления затвором, необходимые для многих различных типов мобильных устройств. Они доступны в одноканальном, двухканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и в версиях с различным напряжением, предоставляя разработчикам широкий спектр возможностей. Каждый полевой МОП-транзистор удовлетворяет потребности в поддержке сильноточной зарядки при низком напряжении и низком значении R DS(on). Компактный корпус и низковольтная работа делают полевые МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI Small Signal идеальным решением для корпусов высокой плотности в смартфонах и игровых консолях.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Id - Continuous Drain Current: 6 A
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: UF-6
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 23.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 54 mOhms
Series: SSM6J414
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: U-MOSVI
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 215 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг