SSM6J503NU,LF, MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9000 шт., срок 5-8 недель

580 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8005268666

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

Id - непрерывный ток утечки	6 A
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	12.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	89.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	2 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	U-MOSVI
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSM6J503
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	UDFN-6
Ширина	2 mm
Вес, г	0.0085