SSM6K407TU,LF, MOSFETs MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4897 шт., срок 7-9 недель
580 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Unclassified
MOSV MOSFETs Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | UDFN-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 440 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 335 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
