SSM6K781G,LF, MOSFETs WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
61868 шт., срок 7-9 недель
620 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
Qg - заряд затвора | 5.4 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14.4 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.5 mm |
Длина | 1.5 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SSM6K |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | WCSP6C-6 |
Ширина | 1 mm |
Вес, г | 0.0014 |
Техническая документация
Datasheet SSM6K781G.LF
pdf, 226 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг