SSM6L61NU,LF, MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7833 шт., срок 5-8 недель
540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Qg - заряд затвора | 3.6 nC, 6.74 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 108 mOhms, 157 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V, - 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV, 500 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVII-H / U-MOSVI |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S, 9.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Продукт | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | UMOSIX |
| Технология | Si |
| Тип | Silicon P-/N-Channel MOS |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns, 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns, 21 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UDFN-6 |
| Ширина | 2 mm |
| Вес, г | 0.0085 |
Техническая документация
Datasheet SSM6L61NU.LF
pdf, 426 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
