SSM6N15AFE,LM, MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1901 шт., срок 7-9 недель
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Unclassified
U-MOSIII MOSFETsToshiba U-MOSIII MOSFETs are single and dual channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | ES6-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 Ohms |
| Series: | SSM6N15 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | U-MOSIII |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 181 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
