SSM6N36FE,LM, MOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3438 шт., срок 5-8 недель

540 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 ֏

Номенклатурный номер: 8005268697

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

Id - непрерывный ток утечки	500 mA
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	630 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.55 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	SSM6N36
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	ES6-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	0.036