SSM6N7002BFE,LM, MOSFETs ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

123086 шт., срок 7-9 недель

322 ֏

1 шт. на сумму 322 ֏

Номенклатурный номер: 8005268705

Бренд: Toshiba

Unclassified

МОП-транзистор ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

Id - непрерывный ток утечки	200 mA
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.55 mm
Длина	1.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	U-MOSIV
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	SSM6N7002
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	ES6-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	0.003