SSM6P15FU,LF, MOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9167 шт., срок 7-9 недель
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Unclassified
MOSFET Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363)
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 20 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package/Case: | US-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 Ohms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 2 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 175 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 65 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 198 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг