SSM6P39TU,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm a. 4V, in UF6 package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5921 шт., срок 7-9 недель
580 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Unclassified
U-MOSIII MOSFETsToshiba U-MOSIII MOSFETs are single and dual channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | UF-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.4 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 213 mOhms |
| Series: | SSM6P39T |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | U-MOSIII |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 198 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
