SSM6P49NU,LF, MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

SSM6P49NU,LF, MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6072 шт., срок 7-9 недель
530 ֏
1 шт. на сумму 530 ֏
Номенклатурный номер: 8005268715
Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified
U-MOSVI Small Signal MOSFETs Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: 3000
Id - Continuous Drain Current: 4 A
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package/Case: UDFN-6
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 157 mOhms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 2 P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 373 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг