SSM6P54TU,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.2A, in UF6 package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18611 шт., срок 7-9 недель
530 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Unclassified
U-MOSIV MOSFETs Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.2 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | UF-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 555 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 218 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
