Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TK100E10N1,S1X, MOSFETs 100V N-Ch PWR FET ...

TK100E10N1,S1X, MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

184 шт., срок 7-9 недель

4 320 ֏

1 шт. на сумму 4 320 ֏

Номенклатурный номер: 8005269340

Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified

МОП-транзистор 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	207 A
Qg - заряд затвора	140 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.1 mm
Длина	10.16 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DTMOSIV
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK100E10N1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.45 mm
Base Product Number	TLP3547 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8800pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	Not Applicable
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 50A, 10V
RoHS Status	RoHS Compliant
Series	U-MOSVIII-H ->
Supplier Device Package	TO-220
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Вес, г	6