TK100L60W,VQ, MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 шт., срок 5-8 недель
38 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
N-канал 600V 100A (Ta) 797W (Tc) сквозное отверстие TO-3P (L)
Технические параметры
| Base Product Number | TLP292 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 30V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3PL |
| Power Dissipation (Max) | 797W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 50A, 10V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | DTMOSIV -> |
| Supplier Device Package | TO-3P(L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet TK100L60W,VQ
pdf, 246 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
