TK10A80W,S4X, MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

134 шт., срок 5-8 недель

3 380 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 380 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005269348

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W

Id - непрерывный ток утечки	9.5 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	460 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	35 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DTMOSIV
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK10A80W
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	120 ns
Типичное время задержки при включении	65 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2