TK13A50DA(STA4,Q,M, MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
![TK13A50DA(STA4,Q,M, MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
109 шт., срок 5-8 недель
3 250 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 250 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Qg - заряд затвора | 28 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 390 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 15 ns |
Высота | 15 mm |
Длина | 10 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | TK13A50DA |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 110 ns |
Типичное время задержки при включении | 60 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.5 mm |
Вес, г | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet TK13A50DA(STA4.Q.M
pdf, 174 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг