TK190A65Z,S4X, MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

148 шт., срок 5-8 недель

3 560 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 560 ֏

Номенклатурный номер: 8005269387

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

N-канал 650V 15A (Ta) 40W (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 300V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.5A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	DTMOSVI ->
Supplier Device Package	TO-220SIS
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 610ВµA
Вес, г	1