Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TK1K9A60F,S4X, MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W ...

TK1K9A60F,S4X, MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

335 шт., срок 5-8 недель

1 120 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 120 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005269392

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	3.7 A
Pd - рассеивание мощности	30 W
Qg - заряд затвора	14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.9 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	15 ns
Время спада	15 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK1K9A60F
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	50 ns
Типичное время задержки при включении	32 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220SIS-3
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Continuous Drain Current - (A)	3.7
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	1900@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	600
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??30
Maximum Power Dissipation - (mW)	30000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tube
Pin Count	3
Supplier Package	TO-220SIS
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	14
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	14@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	490@300V
Вес, г	1