TK2R9E10PL,S1X, MOSFETs Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3314 шт., срок 7-9 недель
3 480 ֏
1 шт.
на сумму 3 480 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Power МОП-транзистор ID=240A VDSS=100V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 240 A |
Pd - рассеивание мощности | 306 W |
Qg - заряд затвора | 161 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 22 ns |
Время спада | 46 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | U-MOSIX-H |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | TK2R9E10PL |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet TK2R9E10PL.S1X
pdf, 711 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг