TK35A08N1,S4X, MOSFETs MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

390 шт., срок 7-9 недель

1 280 ֏

1 шт. на сумму 1 280 ֏

Номенклатурный номер: 8005269432

Бренд: Toshiba

Unclassified

МОП-транзистор МОП-транзистор NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

Id - непрерывный ток утечки	35 A
Pd - рассеивание мощности	30 W
Qg - заряд затвора	25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15 mm
Длина	10 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	U-MOSVIII-H
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK35A08N1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	6