TK4A60D(STA4,Q,M), MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 шт., срок 5-8 недель

1 340 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 340 ֏

Номенклатурный номер: 8005269450

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.7 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15 mm
Длина	10 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MOSVII
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK4A60D
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	1.7