TK4R3E06PL,S1X, MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

19438 шт., срок 5-8 недель

1 830 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 830 ֏

Номенклатурный номер: 8005269454

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

Id - непрерывный ток утечки	106 A
Pd - рассеивание мощности	87 W
Qg - заряд затвора	48.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	10 ns
Время спада	18 ns
Высота	15.1 mm
Длина	10.16 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	24 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.45 mm
Вес, г	1.8