TK56A12N1,S4X, MOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

884 шт., срок 5-8 недель

2 490 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 490 ֏

Номенклатурный номер: 8005269462

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор МОП-транзистор NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V

Id - непрерывный ток утечки	56 A
Pd - рассеивание мощности	45 W
Qg - заряд затвора	69 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	120 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15 mm
Длина	10 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	U-MOSVIII-H
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK56A12N1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	6