TK5P65W,RQ, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1697 шт., срок 6-9 недель
1 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 600 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор PWR MOS PD=60W F=1MHZ
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5.2 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.22 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 17 ns |
Время спада | 5.5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | TK5P65W |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 48 ns |
Типичное время задержки при включении | 39 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Вес, г | 0.36 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг